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　　陆玄

> 厂商新闻《国产DDR5重磅亮相，迈入国际顶级性能梯队》特朗普继续对日本施压：日本需要开放市场 时间：2025-11-23 20:45

• 编辑:CN

（文/观察者网 吕栋）

在全球存储芯片的暴涨行情中，国产内存终于也不再“犹抱琵琶半遮面”。

11月23日，观察者网获悉，国产存储芯片厂商长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上正式发布其最新的DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

在展台上，长鑫存储展示了最新DDR5系列产品，以及最高速率10667Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。据介绍，这两大产品系列速率、容量双维度均位居业界第一梯队，标志其产品性能与布局已全面达到全球主流高端水准，国产存储芯片具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力。

长鑫存储产品亮相

随着处理器核心数量与AI模型规模持续增长，算力系统对内存速率的需求正大幅提升。

观察者网了解到，长鑫存储最新发布的8000 Mbps DDR5芯片，较6400Mbps产品速率提升25%。当前市场基准中，6400 Mbps代表服务器与高端PC的主流性能层级，而8000 Mbps则已迈入国际顶级性能梯队。

在内存容量上，长鑫存储在标准16Gb 颗粒以外，重点推出24Gb大容量颗粒，对于大规模数据中心具有显著优势，能在不占用额外物理插槽的前提下，显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率，满足数据中心快速扩容的刚需。

实际上，这不是长鑫存储的DDR5首次亮相。早在去年12月，观察者网就曾报道过，首款国产DDR5内存颗粒已经量产上市。彼时，内存品牌金百达和光威表示，国产DDR5的出现，无疑代表着国产存储芯片技术迈出了关键的一大步。这既是技术的飞跃，更是国产颗粒前进的一次重大胜利。

图源：观察者网

除了用于电脑和服务器等场景的DDR，长鑫存储在用于手机、平板等移动端的LPDDR系列上也动作频频，本次同台展示了10月最新发布的LPDDR5X产品，该产品为针对移动市场旗舰产品开发的低功耗内存，最高速率10667Mbps，并涵盖12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案。

而这次长鑫存储重磅发布的背景是，全球存储芯片价格正在AI浪潮中持续暴涨，带动手机和电脑等终端市场也涨价声一片。TrendForce集邦咨询数据显示，2025年第四季度，DRAM合约价格对比去年同期上扬逾75%，以存储器占整机BOM成本约10-15%估算，2025年该成本已被垫高8-10%。以宏碁掠夺者DDR5为例，该内存条4条及以上套条9月末价格还在6200元左右，但11月20日前后已经飙涨到8000元。

国产内存条的价格也在水涨船高。去年12月，在京东平台上，光威的国产DDR5颗粒内存条（6000CL36规格16*2套条）到手价还不高于499元，现在售价已达1619元。

2025年11月23日价格

2024年12月25日价格 图源：观察者网

半导体分销商FusionWorldwide总裁托比·贡纳曼日前在接受采访时透露，三星电子11月交付的32GB DDR5服务器内存条，合同价格已从9月的149美元飙升至239美元，涨幅高达60%。TrendForce集邦咨询预计，作为存储芯片主要类型的DRAM，明年带来的全行业营收将达到2023年周期低谷时的4倍以上——攀升至约2310亿美元的历史新高。

在全市场暴涨的行情下，长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示，当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大的影响，中国需要有稳定的国产DRAM产能供应，通过产能扩张和规模效应，减少对海外厂商产能的依赖。

除了内存领域，用于固态硬盘的国产闪存也在持续突破。11月19日，在2025数据存储产业大会上，中国工程院院士、中电标协数据存储专委会战略指导委员会主任倪光南致辞指出，长江存储的232层三维闪存芯片已经规模出货，代表业界最先进的水平，首条全国产化的产线已经启动导入就材。我国SSD主控厂商也迅速崛起，已经有十几家厂商自主研发了SSD主控芯片成功商用，用户体验良好。

长江存储致态固态硬盘

“在产业链中又主要包括存储整机和存储系统，我国在这一领域的整体技术已经达到国际领先水平。国产存储已经在金融、政府、运营商、医疗等多个关键行业的核心生产系统规模化应用。由此可见，我国数据存储产业链已基本齐备，不仅实现了产业链上下游国产化能力，也具备了一定的全球竞争力。”他说道。

但正如长鑫存储市场中心负责人所说，除了技术的突破，中国还需要有稳定的国产存储芯片产能供应，通过产能扩张和规模效应，才能减少对海外厂商产能的依赖。

CFM闪存市场数据显示，2025年三季度，全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，NAND闪存市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元，三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元，创造季度历史新高。

其中在DRAM领域，三星市场份额为34.8%，排名第一；SK海力士市场份额为34.4%；美光市场份额22.4%；南亚科技市场份额1.6%；华邦电子市场份额0.6%；而在NAND闪存市场，三星市场份额29.1%，排名第一；SK海力士市场份额19.2%；铠侠市场份额16.5%；西部数据市场份额12.5%；美光市场份额12.2%。

本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。

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